====== A COMPLETER ====== On va maintenant s’intéresser à choisir une autre transistor que le BU505 car ceci est surdimensionné pour notre circuit et du coup cela coûte cher et il est encombrant. Le [[http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/SGSThomsonMicroelectronics/mXyywwt.pdf|BU505]] est une BJT NPN, donc on voulait le remplacer avec une NPN au debut. Donc on a mesuré les différent tensions et courants autour de deux BU505 et voila la résultat : 1er BU505 2eme BU505 Vcb 2,17 2,184 Veb 0,315 0,315 Vce 2,49 2,18 Ic 68mA 68,2mA Ie (tot) 108mA Donc on voit qu'une simple NPN suffira pour notre application. On a essayé le MPSA44 et le BC337 et on a vu que ils ne sont pas assez rapide pour répondre à la transformateur. Par contre d’après leurs fiche technique, les deux transistors devraient être suffisamment rapide pour la génération du haute tension !! A cette étap avec les petits BJTs on n'as pas pu généré la haute tension donc on a pansé d'utiliser une petit N-MOS. A COMPLETER Puis on a essayé le BC547. Avec ce transistor on a pu généré la haute tension et en plus la haute tension maximum qu'on peut obtenir est plus important que celle de BU505. Par contre il y avait deux inconvenances : la consommation est a peu prés doublé et la sensibilité du PWM (la controle de la haute tensions depuis le rapport cyclique) est sensiblement diminué pour les tensions à l'environs de 400 V. Pour corriger ces deux points, on pourrait changer la frequence de PWM pour trouver une plage de fonctionnement plus adapté à ce transistor (on l'as fait pour les autres transistors). A COMPLETER * [[wiki:projets:smartphone-geiger:batterie_externe|Article suivant : Mise en oeuvre de la batterie]] * [[wiki:projets:smartphone-geiger:accueil|Retour à l'accueil]] * [[wiki:projets:smartphone-geiger:chronologie|Retour à la chronologie du projet]] * [[wiki:projets:smartphone-geiger:box-muller|Article précédent : vérification du calcul de l'écart quadratique moyen]]