Porteurs du projet :
Adam Boudouma (contact : adam.boudouma@etu.upmc.fr)
Mar Lamarca (contact : lamarcamar@gmail.com)
Aravinthan Krishnakumar (contact : ara.krishna@hotmail.com)
Gabriel Ricart (contact : gabriel.ricart@outlook.fr)

• Date de début : 11/2017
• Date de fin estimé : 12/2017

Aucune (pour le moment)

• Arduino mega 2560 ou assimilé (35€ en version officielle, mais des constructeurs en proposent à moins de 10€)
  

• MOSFET canal N IRF540 (1,45€)
  

• MOSFET canal P IRF9540 (1,10€)
  

• Transistor bipolaire NPN 2N3904 (0,18€)
  

• Diode Schottky 1N5819 (0,18€)
  

• Condensateur 10 nF (0,44€)
  

• Condensateur 47 nF (0,37€)
  

• Résistance 10 kΩ (0,01€)
  

• Résistance 1 kΩ (0,01€)
  

Le châssis que nous utilisons a été fabriqué par l'IUT de Cachan dans le cadre du projet des premières années : le Gamel Trophy.
Ces caractéristiques sont telles que suit :
<note important>Le document ci-après est la propriété de l'IUT de Cachan, et n'est donc pas placé sous licence CC Attribution-Share Alike 4.0 International</note>

Afin de contrôler le sens de rotation des deux moteurs, on utilise deux pont en H. On ne détaillera la réalisation que d'un seul, l'autre étant strictement identique.

• 2x IRF540 (MOSFET canal N)
• 2x IRF9540 (MOSFET canal P)
• 4x 2N3904 (Transistor NPN)
• 4x 1N5819 (Diode Schottky)
• 2x Condensateur 10 nF
• 1x Condensateur 47 nF
• 4x Résistances 10 kΩ
• 4x Résistances 1 kΩ

Schéma du pont en H :

<note warning>Ce montage n'a pas encore été testé, il se peut qu'il ne fonctionne pas, voire qu'il endommage les composants. (Même si c'est peu probable, mais bon, on vous aura prévenu.)</note>

Il faut tout d'abord déterminer la puissance dissipées par les MOSFET. Lorsqu'il est saturé, le MOSFET se comporte comme une résistance, et la puissance qu'il dissipe est donc : $$P_d = R_\textrm{ds(on)} * I_d^2$$ ($R_\textrm{ds(on)}$ est donné dans la datasheet du MOSFET utilisé, $I_d$ est le courant traversant le MOSFET)

Il faut maintenant calculer la résistance thermique du dissipateur. Elle est donnée par la formule : (Source) $$R_\textrm{th} = \frac{T_J - T_A}{P_d}$$ ($T_J$ est la température de jonction du MOSFET, donnée dans la datasheet, $T_A$ est la température ambiante)

On a donc : $$R_\textrm{th} = \frac{T_J - T_A}{R_\textrm{ds(on)} * I_d^2}$$

Travail prévu : montage et test du pont en H.
Travail réalisé :